Báo cáo mới đây đã tiết lộ các mẫu iPhone 2020 có thể sẽ được trang bị mô-đun bảo vệ pin có kích thước nhỏ hơn và mỏng hơn tới gần 50% so với mạch bảo vệ pin có trên các thế hệ trước, điều này gián tiếp giúp dung lượng pin của các mẫu iPhone mới được cải thiện đáng kể, mặc dù ở thời điểm hiện tại, dung lượng pin của iPhone đã chạm ngưỡng gần 4000mAh

Cụ thể, theo trang The Elec của truyền thông Hàn Quốc đưa tin, mô-đun bảo vệ pin mới trên iPhone 2020 sẽ được cung cấp bởi đối tác ITM Semiconductor của Hàn Quốc.

iPhone 2020 sẽ có pin còn lớn hơn cả iPhone 11 Pro Max hiện tại (3969mAh)?

Cho những ai chưa biết thì mỗi viên pin trên smartphone đều yêu cầu một mạch bảo vệ pin để tránh hiện tượng sạc pin và xả pin quá mức. Mô-đun bảo vệ mới do ITM Semiconductor cung cấp sẽ được tùy chỉnh dựa trên mạch bảo vệ cũ và loại bỏ các thành phần không cần thiết, từ đó giúp giảm kích thước của mạch bảo vệ này trong khi vẫn đảm bảo được yêu cầu đưa ra.

Kích thước mô-đun bảo vệ pin được ITM tinh chỉnh nhỏ hơn và mỏng hơn đáng kể

Trước đó, một số báo cáo từ The Elec cũng đã tiết lộ Galaxy S11 cũng sẽ được trang bị mô-đun bảo vệ pin tương tự với kích thước nhỏ hơn. Và chính ITM Semiconductor cũng sẽ là nhà cung cấp chính cho Samsung mô-đun bảo vệ pin mới, cho thấy trong tương lai cả Galaxy S11 và iPhone 2020 sẽ đều có thời lượng pin được cải thiện đáng kể.

Apple dự kiến sẽ trình làng tới 4 mẫu iPhone cao cấp trong năm 2020, bao gồm các phiên bản với kích thước màn hình khác nhau: 5.4 inch, 6.1 inch và 6.7 inch. Cả 4 mẫu iPhone này đều sẽ sử dụng màn hình OLED và hỗ trợ mạng 5G. Bên cạnh đó, Apple cũng có thể cho ra mắt một chiếc iPhone "giá rẻ" có thiết kế giống iPhone 9 với phím Home và cảm biến Touch ID, cũng như nâng cấp về mặt cấu hình.

Sẽ có tới 4 mẫu iPhone dùng màn hình OLED ra mắt vào năm sau

Mặc dù vậy, với thời điểm ra mắt Galaxy S11 đang tới gần (cuối tháng 2 năm sau), chúng ta có thể hy vọng Galaxy S11 sẽ có dung lượng pin lớn hơn nhiều hiện tại, và sau đó là tới Apple với iPhone 12 ra mắt vào thời điểm gần cuối năm.